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与此同时,制备高质量的栅绝缘层用氮化硅薄膜也是制备高性能薄膜晶体管(TFT)这一课题的需要。
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该片延续了1992年徐克旧作《新龙门客栈》的故事情节,虽然徐克否认该片是重拍经典,但《龙门飞甲》更像是一部建立在过去的辉煌之中的二次创作。
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采用N2O和NH3等离子钝化技术对多晶硅薄膜表面和栅氧表面进行了钝化处理。氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性
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利用所制备的SiO xN y薄膜作为栅介质层制作了MOS结构,并研究了SiO xN y薄膜的介电常数、击穿电场强度和泄漏电流等电学特性。
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同时又发现,以sin x为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%)。
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以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性。
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薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关。
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薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性
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硅膜厚度和背栅对SIMOX/SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究
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MOS transistors can be made using this kind of SiO2 film as the gate.
以此SiO2薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管。
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Preparation and Structure of HfSi_xO_y Thin Film for High K Gate Dielectrics
高K栅介质HfSi xO y薄膜的制备工艺与结构分析
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- gelatin film明胶膜
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- mosaic film嵌镶式照相底片
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